Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

AS4C8M16S-6TIN +BOM

Ultra-fast synchronous DRAM component designed for high-density storage and real-time processing in advanced device

Produttore:

Alliance Memory
ProduttorePart #:

AS4C8M16S-6TIN
Scheda dati:

AS4C8M16S-6TIN Scheda dati (PDF)
Type:

SDRAM
Mounting Style:

SMD/SMT
Data Bus Width:

16 bit
Organization:

8 M x 16
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per AS4C8M16S-6TIN

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

AS4C8M16S-6TIN Descrizione generale

SDRAM Memory IC 128Mbit Parallel 166 MHz 5 ns 54-TSOP II

Specifiche

Product Category	DRAM	Type	SDRAM
Mounting Style	SMD/SMT	Data Bus Width	16 bit
Organization	8 M x 16	Memory Size	128 Mbit
Maximum Clock Frequency	166 MHz	Access Time	5 ns
Supply Voltage - Max	3.6 V	Supply Voltage - Min	3 V
Supply Current - Max	120 mA	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Series	AS4C8M16S
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	DRAM
Factory Pack Quantity	108	Subcategory	Memory & Data Storage

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..