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AR0231AT7C00XUEA0-DRBR +BOM

Reliable P CMOS sensor for sharp images and fast processi

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

AR0231AT7C00XUEA0-DRBR
Scheda dati:

AR0231AT7C00XUEA0-DRBR Scheda dati (PDF)
Case Outline:

503BG
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

JTRAY
EDA/CAD Modelli:

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E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

AR0231AT7C00XUEA0-DRBR Descrizione generale

CMOS Image Sensor 1928H x 1208V 3µm x 3µm 121-IBGA (10x11)

Caratteristiche principali

High Dynamic Range
LED Flicker Mitigation (LFM)
ASIL B Support
Up to 4−exposure HDR at 1928 × 1208 and 30 fps or 3−exposure HDR at 1928 × 1208 and 40 fps
Latest 3.0 m Back Side Illuminated (BSI) Pixel with ON Semiconductor DR−Pix Technology
Data Interfaces: up to 4−lane MIPI CSI−2, Parallel, or up to 4−lane High Speed Pixel Interface (HiSPi) Serial Interface (SLVS and HiVCM)
Advanced HDR with Flexible Exposure Ratio Control
Selectable Automatic or User Controlled Black Level Control
Frame to Frame Switching among up to 4 Contexts to Enable Multi−function Systems
Spread−spectrum Input Clock Support
Multi−Camera Synchronization Support
Multiple CFA Options

Applicazione

1080p30 Video Applications
Mirror Replacement
High Dynamic Range Imaging
ADAS + Viewing Fusion
Automotive ADAS

Specifiche

Status	Active	Case Outline	503BG
MSL Temp (°C)	260	Container Type	JTRAY

Politiche di servizio e altro

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..