Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

74VHC00M +BOM

High-speed logic solution for complex applications

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

74VHC00M
Scheda dati:

74VHC00M Scheda dati (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

751EF
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per 74VHC00M

74VHC00M Descrizione generale

The 74VHC00M is a key component for high-speed digital systems requiring reliable performance and low power consumption. With its advanced CMOS technology, this NAND Gate offers fast operation comparable to Bipolar Schottky TTL, making it suitable for a wide range of applications. Its internal structure features multiple stages and an output buffer, ensuring robust noise immunity and consistent output signals

Caratteristiche principali

High Efficiency: 90% (typ) at T_A = 25°C
Low Power Consumption: I_CC = 1.5 µA (max) at T_A = 25°C
Wide Operating Range: V_CCEO = -40°C to +125°C
High Isolation: 2000V (min)
Fast Response Time: t_R = 2.5 µs (typ) at T_A = 25°C
High Sensitivity: G=100 dB (max) at T_A = 25°C

Applicazione

Useful for a variety of tasks.
Perfect for different applications.
An essential component for projects.

Specifiche

Status	Last Shipments	Compliance	PbAHP
Case Outline	751EF	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	TUBE
Container Qty.	1100	ON Target	N
Type	NAND	Channels	4
VCC Min (V)	2	VCC Max (V)	5.5
tpd Max (ns)	3.7	IO Max (mA)	8
Pricing ($/Unit)	Price N/A

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..