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71V124SA15TYG8 +BOM

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mbit Parallel 15 ns 32-SOJ

Produttore:

Renesas Technology Corp
ProduttorePart #:

71V124SA15TYG8
Scheda dati:

71V124SA15TYG8 Scheda dati (PDF)
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous
Memory Size:

1Mbit
EDA/CAD Modelli:

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71V124SA15TYG8 Descrizione generale

The 71V124 3.3V CMOS SRAM, known by the code 71V124SA15TYG8, is a high-performance memory device with a configuration of 128K x 8. Its innovative JEDEC center power/GND pinout design minimizes noise generation, enhancing system reliability. All bidirectional inputs and outputs are LVTTL-compatible, providing seamless integration with various system architectures. Operating on a single 3.3V power supply, the 71V124 eliminates the need for complex clocking schemes or refresh cycles, simplifying system design and maintenance. Its fully static asynchronous circuitry ensures dependable operation without the need for external timing control

Caratteristiche principali

Fully synchronous bus operation
Burst mode for improved throughput
Power management features

Specifiche

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Asynchronous	Memory Size	1Mbit
Memory Organization	128K x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	15ns	Access Time	15 ns
Voltage - Supply	3V ~ 3.6V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	71V124
Product Category	SRAM	Organization	128 k x 8
Interface Type	Parallel	Supply Voltage - Max	3.6 V
Supply Voltage - Min	3 V	Supply Current - Max	100 mA
Minimum Operating Temperature	0 C	Maximum Operating Temperature	+ 70 C
Mounting Style	SMD/SMT	Height	2.67 mm
Length	21.95 mm	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	SRAM	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	Memory & Data Storage	Type	Asynchronous
Width	7.6 mm	Part # Aliases	IDT71V124SA15TYG8 71V124
Unit Weight	0.073832 oz

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