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2SA1162-GR,LF +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Surface Mount S-Mini

Produttore:

TOSHIBA
ProduttorePart #:

2SA1162-GR,LF
Scheda dati:

2SA1162-GR,LF Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Factory Lead Time:

32 Weeks
Additional Feature:

LOW NOISE
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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2SA1162-GR,LF Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Surface Mount S-Mini

Specifiche

Source Content uid	2SA1162-GR,LF	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
Factory Lead Time	32 Weeks	Additional Feature	LOW NOISE
Collector Current-Max (IC)	0.15 A	Collector-Base Capacitance-Max	7 pF
Collector-Emitter Voltage-Max	50 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	200	JEDEC-95 Code	TO-236
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	125 °C
Polarity/Channel Type	PNP	Power Dissipation Ambient-Max	0.15 W
Power Dissipation-Max (Abs)	0.15 W	Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	80 MHz	VCEsat-Max	0.3 V

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