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1N4150W-E3-08 +BOM

Fast-acting Silicon Diode for Small Signal Switching, 50V, 0.2A, 4ns, SOD-123 Package

1N4150W-E3-08 Descrizione generale

In summary, the 1N4150W-E3-08 diode is a high-quality component that offers excellent performance in a compact package. Its low forward voltage and fast reverse recovery time make it ideal for use in a variety of electronic applications. With its automotive qualification standard, this diode can be relied upon for consistent performance in demanding environments. Consider using the 1N4150W-E3-08 diode in your next project for reliable and efficient circuit protection

Caratteristiche principali

  • Silicon epitaxial planar diode,For general purpose and switching,AEC-Q101 qualified available

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Pin Count 2 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 HTS Code 8541.10.00.70
Case Connection UNSPECIFIED Configuration SINGLE
Diode Element Material SILICON Diode Type RECTIFIER DIODE
JESD-30 Code R-PDSO-G2 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Phases 1 Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Output Current-Max 0.2 A Power Dissipation-Max 0.41 W
Rep Pk Reverse Voltage-Max 50 V Reverse Recovery Time-Max 0.004 µs
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Product Category Diodes - General Purpose, Power, Switching Product Switching Diodes
Mounting Style SMD/SMT Peak Reverse Voltage 50 V
Max Surge Current - If - Forward Current 200 mA
Recovery Time 4 ns Vf - Forward Voltage 1 V
Ir - Reverse Current 100 nA Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series 1N4150W
Maximum Diode Capacitance 2.5 pF Pd - Power Dissipation 410 mW
Product Type Diodes - General Purpose, Power, Switching Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Diodes & Rectifiers Vr - Reverse Voltage 50 V
Unit Weight 0.000363 oz

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