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1N4150 +BOM

Diode 50 V 200mA Through Hole DO-35

1N4150 Descrizione generale

Diode 50 V 200mA Through Hole DO-35

Caratteristiche principali

  • Silicon epitaxial planar diode,For general purpose and switching,AEC-Q101 qualified available (part number on request)

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.10.00.70 Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE Diode Element Material SILICON
Diode Type RECTIFIER DIODE JEDEC-95 Code DO-35
JESD-30 Code O-LALF-W2 JESD-609 Code e3
Number of Elements 1 Number of Phases 1
Number of Terminals 2 Operating Temperature-Max 200 °C
Operating Temperature-Min -65 °C Output Current-Max 0.2 A
Peak Reflow Temperature (Cel) 265 Power Dissipation-Max 0.5 W
Qualification Status Not Qualified Reverse Recovery Time-Max 0.004 µs
Surface Mount NO Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form WIRE Terminal Position AXIAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10 Product Category Diodes - General Purpose, Power, Switching
Mounting Style Through Hole Peak Reverse Voltage 75 V
Max Surge Current 4 A If - Forward Current 200 mA
Recovery Time 6 ns Vf - Forward Voltage 1 V
Ir - Reverse Current 100 nA Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Height 1.91 mm
Length 4.56 mm Product Type Diodes - General Purpose, Power, Switching
Factory Pack Quantity 2000 Subcategory Diodes & Rectifiers
Type Switching Diode Vr - Reverse Voltage 75 V
Width 1.91 mm Part # Aliases 1N4150_NL
Unit Weight 0.004833 oz

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