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1EDC20I12MH +BOM

Gate drive integrated circuits in DSO-8 packaging, compliant with ROHS standards."

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

1EDC20I12MH
Scheda dati:

1EDC20I12MH Scheda dati (PDF)
Input Vcc Max:

17.0 V
Input Vcc Min:

3.1 V
Configuration:

High-side
Isolation Type:

Galvanic isolation - Functional
EDA/CAD Modelli:

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1EDC20I12MH Descrizione generale

EiceDRIVER™ presents the 1EDC20I12MH gate driver IC, a high-side driver with outstanding 1200 V capability and typical source and sink currents of 4.4 A and 4.1 A in a DSO-8 package. With UL certified galvanic isolation, an active Miller clamp, and short-circuit clamping for IGBT Modules, this device offers reliable performance. For advanced features such as higher isolation ratings and shorter propagation delays, explore our X3 Compact family, specifically the 1ED3122MU12H. For a cost-effective option, consider the 1EDI20I12MF DSO-8 150 mil narrow body version

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Recognized under UL1577 with V ISO = 3000 V for 1 s
1200V coreless Transformer isolated Driver ICs
2 A rail-to-rail outputs
300 mil wide-body package for 8 mm creepage distance
Active Miller clamp

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

Motor control and drives
Solutions for solar energy systems
Power supplies (SMPS)
Automotive

Specifiche

Input Vcc max	17.0 V	Input Vcc min	3.1 V
Configuration	High-side	Isolation Type	Galvanic isolation - Functional

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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