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1EDC05I12AH +BOM

Gate Drivers ISOLATED DRIVER

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

1EDC05I12AH
Scheda dati:

1EDC05I12AH Scheda dati (PDF)
Input Vcc Max:

17.0 V
Input Vcc Min:

3.1 V
Configuration:

High-side
Isolation Type:

Galvanic isolation - Functional
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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1EDC05I12AH Descrizione generale

EiceDRIVER™ 1200 V high-side gate driver IC with typical 1.3 A source and 0.9 A sink currents in DSO-8 package with UL certified galvanic isolation, active Miller clamp and short circuit clamping for IGBT Modules. Recognized under UL 1577 with an insulation test voltage of VISO = 3000 V for 1 sFor higher isolation rating, higher current, shorter propagation delay, check out our newly released X3 Compact family, 1ED3120MU12H. The DSO-8 150 mil narrow body version with great price performance ratio is also available: 1EDI05I12AF

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

1200 V coreless Transformer isolated Driver ICs
0.5 A rail-to-rail outputs
300 mil wide-body package for 8 mm creepage distance
Separate source/sink outputs

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

Industrial heating and welding
Solutions for photovoltaic energy systems
Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Specifiche

Input Vcc max	17.0 V	Input Vcc min	3.1 V
Configuration	High-side	Isolation Type	Galvanic isolation - Functional

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