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10N60C +BOM

600V N-Channel MOSFET

Produttore:

FAIRCHILD
ProduttorePart #:

10N60C
Scheda dati:

10N60C Scheda dati (PDF)
Pacchetto/custodia:

TO-220
Tipologia di prodotto:

Transistors
EDA/CAD Modelli:

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10N60C Descrizione generale

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Features

1. 9.5A, 600V, RDS(on) = 0.73Ω @VGS = 10 V 2. Low gate charge ( typical 44 nC) 3. Low Crss ( typical 18 pF) 4. Fast switching 5. 100% avalanche tested 6. Improved dv/dt capability

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