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FQPF33N10L +BOM
N-Channel Logic Level
TO-220-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
FQPF33N10L
-
Scheda dati:
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Reach:
Details
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Technology:
Si
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Mounting Style:
Through Hole
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Transistor Polarity:
N-Channel
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EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 7614 PZ
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FQPF33N10L Descrizione generale
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Caratteristiche principali
- 18A, 100V, RDS(on) = 52mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 9A
- Low gate charge ( Typ. 30nC)
- Low Crss ( Typ. 70pF)
- 100% avalanche tested
- 175°C maximum junction temperature rating
Applicazione
- LCD TV
- PDP TV
- LED TV
Specifiche
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 18 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 52 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 40 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 41 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | QFET | Series | FQPF33N10L |
Configuration | Single | Fall Time | 120 ns |
Forward Transconductance - Min | 22 S | Height | 16.07 mm |
Length | 10.36 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 470 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 70 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 17 ns | Width | 4.9 mm |
Unit Weight | 0.068784 oz |
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In Stock: 7.614
Minimum Order: 1
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