Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro Privacy Policy.

2N7002V +BOM

Mosfet Array 60V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563F

2N7002V Descrizione generale

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 0.28A, 2Ω

Caratteristiche principali

  • Dual N-Channel MOSFET
  • Low On-Resistance
  • Low Gate Threshold Voltage
  • Low Input Capacitance
  • Fast Switching Speed
  • Low Input/Output Leakage
  • Ultra-Small Surface Mount Package
  • RoHS Compliant

Applicazione

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Source Content uid 2N7002V Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 24 Weeks, 4 Days
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 0.28 A Drain-source On Resistance-Max 7.5 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 7 pF
JESD-30 Code R-PDSO-F6 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 2
Number of Terminals 6 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 0.25 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish Tin (Sn) Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 280 mA Rds On - Drain-Source Resistance 7.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge - Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 150 mW
Channel Mode Enhancement Series 2N7002V
Height 0.78 mm Length 1.6 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 12.5 ns
Typical Turn-On Delay Time 5.85 ns Width 0.88 mm
Unit Weight 0.000071 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

payment Pagamento

Metodo di pagamento

hsbc
TT/bonifico bancario
paypal
PayPal
wu
Western Union
mg
Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]
spedizione Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

fedex
Fedex
ups
UPS
dhl
DHL
tnt
NTN
Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..

Garanzia Garanzia

Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.

Recensioni

You need to log in to reply. Registrazione | Iscrizione

In Stock: 4.216

Minimum Order: 1

Qtà. Prezzo unitario Est. Prezzo
10+ $0,075 $0,75
100+ $0,062 $6,20
300+ $0,056 $16,80
3000+ $0,049 $147,00
6000+ $0,046 $276,00
9000+ $0,044 $396,00

I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.