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STF10LN80K5 +BOM
N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
TO-220FP-
Produttore:
STMicroelectronics
-
ProduttorePart #:
STF10LN80K5
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Scheda dati:
-
Technology:
Si
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Mounting Style:
Through Hole
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Transistor Polarity:
N-Channel
-
Number of Channels:
1 Channel
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 7072 PZ
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STF10LN80K5 Descrizione generale
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Caratteristiche principali
- Industry’s lowest RDS(on) x area
- Industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
Specifiche
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
Id - Continuous Drain Current | 8 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 630 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Qg - Gate Charge | 15 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 25 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | MDmesh |
Series | STF10LN80K5 | Configuration | Single |
Fall Time | 13 ns | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 10 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns | Typical Turn-On Delay Time | 11.8 ns |
Unit Weight | 0.068784 oz |
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In Stock: 7.072
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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