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Vedi Specifiche Tecniche

SIHP22N60E-GE3 +BOM

E Series Power MOSFET

Produttore:

Vishay Siliconix
ProduttorePart #:

SIHP22N60E-GE3
Scheda dati:

SIHP22N60E-GE3 Scheda dati (PDF)
Series:

E
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
EDA/CAD Modelli:

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SIHP22N60E-GE3 Descrizione generale

N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole

Caratteristiche principali

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Applicazione

oServer and telecom power supplies
oSwitch mode power supplies (SMPS)
oPower factor correction power supplies (PFC)
oLighting
oHigh-intensity discharge (HID)
oFluorescent ballast lighting
oIndustrial
oWelding
oInduction heating
oMotor drives
oBattery chargers
oRenewable energy
oSolar (PV inverters)

Specifiche

Series	E	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1920 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	227W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	SIHP22

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