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SI2325DS-T1-E3 +BOM

P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SI2325DS-T1-E3
Scheda dati:

SI2325DS-T1-E3 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min:

150 V
EDA/CAD Modelli:

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SI2325DS-T1-E3 Descrizione generale

P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Caratteristiche principali

None

Applicazione

Industrial
Power Management

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	150 V
Drain Current-Max (ID)	0.53 A	Drain-source On Resistance-Max	1.3 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	16 pF
JEDEC-95 Code	TO-236AB	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.75 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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