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NTGS4111PT1 +BOM

MOSFET -30V -4.7A P-Channel

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

NTGS4111PT1
Scheda dati:

NTGS4111PT1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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NTGS4111PT1 Descrizione generale

P-Channel 30 V 2.6A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	4.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	68 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	15 ns, 9 ns	Forward Transconductance - Min	6 S
Height	0.94 mm	Length	3 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	15 ns, 9 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	28 ns, 38 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns, 9 ns	Width	1.5 mm
Unit Weight	0.000705 oz

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