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NSBA114TDXV6T5 +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

  • Produttore:

    onsemi

  • ProduttorePart #:

    NSBA114TDXV6T5

  • Scheda dati:

    NSBA114TDXV6T5 Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Transistor Type:

    2 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • Current - Collector (Ic) (Max):

    100mA

  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

    50V

  • Resistor - Base (R1):

    10kOhms

NSBA114TDXV6T5 Descrizione generale

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Specifiche

Series - Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA Frequency - Transition -
Power - Max 500mW Mounting Type Surface Mount
Base Product Number NSBA114

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