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KSC3502ESTU +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 100 mA 150MHz 1.2 W Through Hole TO-126-3

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

KSC3502ESTU
Scheda dati:

KSC3502ESTU Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

200 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

600mV @ 2mA, 20mA
EDA/CAD Modelli:

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KSC3502ESTU Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 100 mA 150MHz 1.2 W Through Hole TO-126-3

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	200 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 2mA, 20mA	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 10V	Power - Max	1.2 W
Frequency - Transition	150MHz	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	KSC3502

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