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IRF830APBF +BOM

N-Channel 500 V 5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

IRF830APBF Descrizione generale

N-Channel 500 V 5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Caratteristiche principali

  • Low gate charge Qg results in simple drive requirement
  • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
  • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
  • Effective Coss specified
  • Applicazione

    Switch Mode Power Supply (SMPS) |Uninterruptable Power Supply |High Speed power Switching

    Specifiche

    Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
    Pin Count 3 Reach Compliance Code not_compliant
    ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 61 Weeks
    Avalanche Energy Rating (Eas) 230 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DS Breakdown Voltage-Min 500 V Drain Current-Max (ID) 5 A
    Drain-source On Resistance-Max 1.4 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Feedback Cap-Max (Crss) 4.3 pF JEDEC-95 Code TO-220AB
    JESD-30 Code R-PSFM-T3 JESD-609 Code e3
    Number of Elements 1 Number of Terminals 3
    Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
    Operating Temperature-Min -55 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
    Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 74 W
    Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20 A Qualification Status Not Qualified
    Surface Mount NO Terminal Finish MATTE TIN
    Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
    Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
    Transistor Element Material SILICON

    Politiche di servizio e altro

    Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

    payment Pagamento

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