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BSC093N04LSGATMA1 +BOM

N-Channel 40 V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

BSC093N04LSGATMA1
Scheda dati:

BSC093N04LSGATMA1 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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tel: +852 95804164

BSC093N04LSGATMA1 Descrizione generale

N-Channel 40 V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Specifiche

Source Content uid	BSC093N04LSGATMA1	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	8
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	56 Weeks, 4 Days	Additional Feature	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Avalanche Energy Rating (Eas)	10 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	40 V
Drain Current-Max (ID)	13 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0093 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-F8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	196 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Product Category	MOSFET
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	49 A
Rds On - Drain-Source Resistance	9.3 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	18 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	35 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS	Series	OptiMOS 3
Fall Time	2.8 ns	Forward Transconductance - Min	34 S
Height	1.27 mm	Length	5.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	2.4 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	16 ns
Typical Turn-On Delay Time	3.6 ns	Width	5.15 mm
Part # Aliases	BSC093N04LS G SP000387929	Unit Weight	0.003683 oz

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