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2SD2081 +BOM

ROHS Compliant Darlington Transistors

2SD2081 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 10 A 60MHz 30 W Through Hole TO-220F

2sd2081

Caratteristiche principali

  • Low VCE(sat) transistor
  • High current capacity (3A)
  • Complementary NPN transistor to 2SB1366
  • Low collector-to-emitter saturation voltage
  • Fast switching speed
  • High current gain

Applicazione

  • Switching applications in electronic circuits
  • Power amplifier and regulator circuits
  • Signal processing circuits
  • Audio amplifier circuits
  • Motor control circuits
  • Lighting control circuits
  • Battery charging circuits
  • Voltage conversion circuits
  • Telecommunication circuits
  • Industrial control circuits

Specifiche

ECCN (US) EAR99 Part Status Obsolete
HTS 8542330001 Automotive No
PPAP No Type NPN
Configuration Single Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 120 Maximum Collector Base Voltage (V) 120
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6 Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 2@5mA@5A
Maximum Continuous DC Collector Current (A) 10 Maximum Collector Cut-Off Current (uA) 10
Typical Current Gain Bandwidth (MHz) 60 Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 1.5@5mA@5A
Minimum DC Current Gain 2000@5A@4V Maximum Power Dissipation (mW) 30000
Minimum Operating Temperature (°C) -55 Maximum Operating Temperature (°C) 150
Mounting Through Hole PCB changed 3
Tab Tab Pin Count 3
Lead Shape Through Hole

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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Valutazioni e recensioni

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V**r 05/10/2022

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C**b 02/13/2021

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7

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