Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

JAN2N2219AL +BOM

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Tube

Produttore:

Microchip Technology
ProduttorePart #:

JAN2N2219AL
Scheda dati:

JAN2N2219AL Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1V @ 50mA, 500mA

JAN2N2219AL Information

Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA 800 mW Through Hole TO-5

Specifiche

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	10nA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	800 mW	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-55°C ~ 200°C (TJ)	Grade	Military
Qualification	MIL-PRF-19500/251	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	2N2219	Package/Case	TO-205AA,TO-5-3MetalCan

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento +

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione +

Fedex

UPS

DHL

TNT

Imballaggio +

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..