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IRLL2705PBF +BOM

IRLL2705PBF - N-channel Silicon MOSFET with 55V voltage rating

IRLL2705PBF Information

Descrizione generale

N-Channel 55 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223

IRLL2705PBF

Caratteristiche principali

  • Fast response time and low output capacitance
  • High-voltage and high-temperature capability
  • Low noise and electromagnetic radiation
  • Robust reliability and high mean time between failures

Applicazione

  • Powerful performance
  • Energy efficient

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 55 V
Id - Continuous Drain Current 3.8 A Rds On - Drain-Source Resistance 40 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 16 V, + 16 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Qg - Gate Charge 32 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.1 W
Channel Mode Enhancement Configuration Single
Fall Time 22 ns Forward Transconductance - Min 5.1 S
Height 1.6 mm Length 6.5 mm
Product Type MOSFET Rise Time 12 ns
Factory Pack Quantity 1760 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 35 ns Typical Turn-On Delay Time 6.2 ns
Width 3.5 mm Part # Aliases SP001558810
Unit Weight 0.003951 oz Package/Case SOT-223-4

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