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IRFL9014TRPBF +BOM

Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

IRFL9014TRPBF
Scheda dati:

IRFL9014TRPBF Scheda dati (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

1.8A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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IRFL9014TRPBF Descrizione generale

Vishay's IRFL9014TRPBF MOSFET features a P-channel channel type, making it ideal for designs requiring this specific configuration. The device's -60V drain-source voltage capability and 1.8A continuous drain current make it suitable for a variety of applications where power control is essential. The SOT-223-4 package allows for easy mounting on PCBs, providing flexibility in assembly processes. With a Rds(on) test voltage of 10V, this MOSFET offers efficient power management and minimal voltage drop across the device. The 3.1W power dissipation rating ensures that the IRFL9014TRPBF can handle moderate power loads with ease

Caratteristiche principali

Surface-mount

Available in tape and reel

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

P-channel

Fast switching

Ease of paralleling

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	270 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Package/Case	SOT-223-4

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