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IPD50R950CEBTMA1 +BOM

Robust electrical characteristics and high reliability make this MOSFET suitable for demanding applications

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPD50R950CEBTMA1
Scheda dati:

IPD50R950CEBTMA1 Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

4.3A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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IPD50R950CEBTMA1 Information

Avaq Semiconductor offre il driver IPD50R950CEBTMA1 altamente versatile e affidabile, prodotto da Infineon Technologies. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il IPD50R950CEBTMA1.

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	231 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max)	34W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	IPD50R
Package/Case	TO-252-3

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..